Характеристики
Функция TIG-сварки : есть
Напряжение питания, В : 220
Класс изоляции : Н
Частота, Гц : 50
Диаметр электрода AC, min, мм : 1.6
Диаметр электрода AC, max, мм : 4
Сварочный ток минимальный, А : 10
ПВ на максимальном токе, % : 70
Преимущества аргонодуговой сварки:
- Этот способ сварки очень эффективен для соединения деталей из цветных металлов и легированных сталей, а также алюминия, титана и прочих материалов, которые не получится сварить обычной сваркой. Если толщина свариваемых деталей небольшая, аргонодуговая сварка выполняется без присадочного материала. Возможно даже использование токов высокой плотности без значительного расхода электродов и сильного нагревания. Причем стойкость горения электродуги сохраняется на минимальных электротоках, чем объясняется способность аргоновой сварки соединять довольно тонкий листовой материал.
- Также для аргонодуговой сварки характерны ровный, прочный шов, лучшая свариваемость именно тонких металлов.
Особенности и преимущества:
- Малый вес аппарата обеспечивает легкую транспортировку, что требуется при различных монтажных работах.
- В конструкции установлены два мощных кулера, которые обеспечивают надежное охлаждение.
- Платы имеют высокое качество пайки деталей, не залиты лаком (компаундом), что позволяет осуществлять легкий и быстрый ремонт. Вертикальное расположение исключает скопление пыли на плате.
- Функция «HOT START» для более легкого зажигания дуги (электрода). Это автоматическое кратковременное повышение сварочного тока над установленным значением в момент зажигания дуги.
- Функция «ANTI STICK» производит автоматическое снижение сварочного тока при "залипании" электрода. В дальнейшем, после отрыва залипшего электрода инвертор возобновляет установленные параметры сварки.
- Автомат защиты (при входном напряжении) надежно защищают платы.
- В платах используются биполярные транзисторы IGBT, которые являются новейшим продуктом развития технологии силовых транзисторов со структурой металл-оксид-полупроводник, управляемых электрическим полем и сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре.